LPT-7 ਡਾਇਡ-ਪੰਪਡ ਸਾਲਿਡ-ਸਟੇਟ ਲੇਜ਼ਰ ਡੈਮੋਨਸਟ੍ਰੇਟਰ
ਨਿਰਧਾਰਨ
| ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਲੇਜ਼ਰ | |
| CW ਆਉਟਪੁੱਟ ਪਾਵਰ | ≤ 500 ਮੈਗਾਵਾਟ |
| ਧਰੁਵੀਕਰਨ | TE |
| ਕੇਂਦਰ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ | 808 ± 10 ਐੱਨ.ਐੱਮ |
| ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ | 10 ~ 40 ਡਿਗਰੀ ਸੈਂ |
| ਡ੍ਰਾਈਵਿੰਗ ਮੌਜੂਦਾ | 0 ~ 500 ਐਮ.ਏ |
| Nd: YVO4ਕ੍ਰਿਸਟਲ | |
| ਐਨਡੀ ਡੋਪਿੰਗ ਇਕਾਗਰਤਾ | 0.1 ~ 3 atm% |
| ਮਾਪ | 3×3×1 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਸਮਤਲਤਾ | < λ/10 @632.8 nm |
| ਪਰਤ | AR@1064 nm, R<0.1%;808="" t="">90% |
| ਕੇਟੀਪੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ | |
| ਸੰਚਾਰਿਤ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਰੇਂਜ | 0.35 ~ 4.5 µm |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਗੁਣਾਂਕ | r33=36 pm/V |
| ਮਾਪ | 2×2×5 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਆਉਟਪੁੱਟ ਮਿਰਰ | |
| ਵਿਆਸ | Φ 6 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਵਕਰਤਾ ਦਾ ਘੇਰਾ | 50 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| He-Ne ਅਲਾਈਨਮੈਂਟ ਲੇਜ਼ਰ | ≤ 1 mW @632.8 nm |
| IR ਵਿਊਇੰਗ ਕਾਰਡ | ਸਪੈਕਟ੍ਰਲ ਜਵਾਬ ਸੀਮਾ: 0.7 ~ 1.6 µm |
| ਲੇਜ਼ਰ ਸੁਰੱਖਿਆ ਚਸ਼ਮਾ | OD = 4+ 808 nm ਅਤੇ 1064 nm ਲਈ |
| ਆਪਟੀਕਲ ਪਾਵਰ ਮੀਟਰ | 2 μW ~ 200 mW, 6 ਸਕੇਲ |
ਭਾਗਾਂ ਦੀ ਸੂਚੀ
| ਨੰ. | ਵਰਣਨ | ਪੈਰਾਮੀਟਰ | ਮਾਤਰਾ |
| 1 | ਆਪਟੀਕਲ ਰੇਲ | ਬੇਸ ਅਤੇ ਡਸਟ ਕਵਰ ਦੇ ਨਾਲ, He-Ne ਲੇਜ਼ਰ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਬੇਸ ਦੇ ਅੰਦਰ ਸਥਾਪਿਤ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ | 1 |
| 2 | He-Ne ਲੇਜ਼ਰ ਹੋਲਡਰ | ਕੈਰੀਅਰ ਦੇ ਨਾਲ | 1 |
| 3 | ਅਲਾਈਨਮੈਂਟ ਅਪਰਚਰ | ਕੈਰੀਅਰ ਦੇ ਨਾਲ f1 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਛੇਕ | 1 |
| 4 | ਫਿਲਟਰ | ਕੈਰੀਅਰ ਦੇ ਨਾਲ f10 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਅਪਰਚਰ | 1 |
| 5 | ਆਉਟਪੁੱਟ ਮਿਰਰ | BK7, f6 mm R = 50 mm 4-ਧੁਰੀ ਵਿਵਸਥਿਤ ਹੋਲਡਰ ਅਤੇ ਕੈਰੀਅਰ ਦੇ ਨਾਲ | 1 |
| 6 | ਕੇਟੀਪੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ | 2-ਐਕਸਿਸ ਐਡਜਸਟੇਬਲ ਹੋਲਡਰ ਅਤੇ ਕੈਰੀਅਰ ਦੇ ਨਾਲ 2×2×5 ਮਿਲੀਮੀਟਰ | 1 |
| 7 | Nd: YVO4 ਕ੍ਰਿਸਟਲ | 2-ਧੁਰੀ ਵਿਵਸਥਿਤ ਹੋਲਡਰ ਅਤੇ ਕੈਰੀਅਰ ਦੇ ਨਾਲ 3×3×1 mm | 1 |
| 8 | 808nm LD (ਲੇਜ਼ਰ ਡਾਇਓਡ) | ≤ 4-ਧੁਰੀ ਅਡਜੱਸਟੇਬਲ ਹੋਲਡਰ ਅਤੇ ਕੈਰੀਅਰ ਦੇ ਨਾਲ 500 mW | 1 |
| 9 | ਡਿਟੈਕਟਰ ਹੈੱਡ ਹੋਲਡਰ | ਕੈਰੀਅਰ ਦੇ ਨਾਲ | 1 |
| 10 | ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਵਿਊਇੰਗ ਕਾਰਡ | 750 ~ 1600 nm | 1 |
| 11 | He-Ne ਲੇਜ਼ਰ ਟਿਊਬ | 1.5mW@632.8 nm | 1 |
| 12 | ਆਪਟੀਕਲ ਪਾਵਰ ਮੀਟਰ | 2 μW～200 ਮੈਗਾਵਾਟ (6 ਰੇਂਜ) | 1 |
| 13 | ਡਿਟੈਕਟਰ ਹੈੱਡ | ਕਵਰ ਅਤੇ ਪੋਸਟ ਦੇ ਨਾਲ | 1 |
| 14 | LD ਮੌਜੂਦਾ ਕੰਟਰੋਲਰ | 0 ~ 500 ਐਮ.ਏ | 1 |
| 15 | ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਤਾਰ | 3 | |
| 16 | ਹਦਾਇਤ ਮੈਨੂਅਲ | V1.0 | 1 |
ਆਪਣਾ ਸੁਨੇਹਾ ਇੱਥੇ ਲਿਖੋ ਅਤੇ ਸਾਨੂੰ ਭੇਜੋ
