LEEM-3 ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਮੈਪਿੰਗ ਉਪਕਰਣ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:

ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਜਾਂ ਚਾਰਜਡ ਕਣਾਂ ਦੇ ਗਤੀ ਨਿਯਮ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸਿਸਟਮ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਵੰਡ ਨੂੰ ਜਾਣਨਾ ਅਕਸਰ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਉਦਾਹਰਣ ਵਜੋਂ, ਔਸਿਲੋਸਕੋਪ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਦੇ ਫੋਕਸਿੰਗ ਅਤੇ ਡਿਫਲੈਕਸ਼ਨ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਲਈ, ਔਸਿਲੋਸਕੋਪ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵੰਡ ਨੂੰ ਜਾਣਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ, ਸਾਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਾਂ ਦੀ ਗਤੀ 'ਤੇ ਨਵੇਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਾਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਫੀਲਡ ਦੀ ਵੰਡ ਨੂੰ ਵੀ ਜਾਣਨ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਦੀ ਵੰਡ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਉਣ ਲਈ, ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣਾਤਮਕ ਵਿਧੀ ਅਤੇ ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਯੋਗ ਵਿਧੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਪਰ ਸਿਰਫ ਕੁਝ ਸਧਾਰਨ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣਾਤਮਕ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਫੀਲਡ ਵੰਡ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਆਮ ਜਾਂ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸਿਸਟਮ ਲਈ, ਇਹ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਯੋਗ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਯੋਗ ਵਿਧੀ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਉੱਚ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਪਰ ਆਮ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਲਈ, ਇਹ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ।