LEEM-3 ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਮੈਪਿੰਗ ਉਪਕਰਣ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:

ਇੰਜਨੀਅਰਿੰਗ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸਿਸਟਮ ਦੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਡਿਸਟ੍ਰੀਬਿਊਸ਼ਨ ਨੂੰ ਜਾਣਨਾ ਅਕਸਰ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਜਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੇ ਗਤੀ ਕਾਨੂੰਨ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ।ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਔਸਿਲੋਸਕੋਪ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਦੇ ਫੋਕਸਿੰਗ ਅਤੇ ਡਿਫੈਕਸ਼ਨ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਲਈ, ਔਸਿਲੋਸਕੋਪ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਫੀਲਡ ਦੀ ਵੰਡ ਨੂੰ ਜਾਣਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ, ਸਾਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੀ ਗਤੀ 'ਤੇ ਨਵੇਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਾਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਫੀਲਡ ਦੀ ਵੰਡ ਨੂੰ ਵੀ ਜਾਣਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਦੀ ਵੰਡ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਉਣ ਲਈ, ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣਾਤਮਕ ਵਿਧੀ ਅਤੇ ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਯੋਗ ਵਿਧੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਪਰ ਸਿਰਫ ਕੁਝ ਸਧਾਰਨ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ ਹੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਦੀ ਵੰਡ ਨੂੰ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣਾਤਮਕ ਢੰਗ ਨਾਲ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਆਮ ਜਾਂ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸਿਸਟਮ ਲਈ, ਇਹ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਯੋਗ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਯੋਗ ਵਿਧੀ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਉੱਚ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਪਰ ਆਮ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਲਈ, ਇਹ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।